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MBT3906DW1T1G中文资料

MBT3906DW1T1G图片

MBT3906DW1T1G外观图

  • 大小：111.24KB
  • 厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述：Dual General Purpose Transistor
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 PNP（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 10mA，1V
  • 功率 - 最大：150mW
  • 频率 - 转换：250MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：SC-88
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MBT3906DW1T1GOSTR

MBT3906DW1T1G供应商

更新时间:2023-01-01 21:09:11
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