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MBT3906DW1T1G中文资料

MBT3906DW1T1G图片

MBT3906DW1T1G外观图

  • 大小：111.24KB
  • 厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述：Dual General Purpose Transistor
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 PNP（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 10mA，1V
  • 功率 - 最大：150mW
  • 频率 - 转换：250MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：SC-88
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MBT3906DW1T1GOSTR

MBT3906DW1T1G供应商

更新时间:2023-01-01 21:09:11
批量询价 所在地：全国北京上海深圳浙江江苏广东山东广州汕头陕西
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  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • 深圳市合江泰电子有限公司

  • MBT3906DW1T1G

  • 优势

  • 36585

  • ONSemiconductor

  • 6TSSOPSC88SOT363 SMD/SMT Cut Tape seReel HJT/2018+

  • 合江泰原装正品现货每颗都来自原厂

IC热门型号推荐优势：品质保障[放心]、稳定库存[安心]、优质商家[省心] 点击搜索体验
MIC5207-3.3BM5MBRM120LT1MIC5209-5.0YSM24C16-RMN6TPMURA115T3GM29W640FB70N6EM27C2001-12F1MIC2005-0.5YM6MMBZ27VALT1GMP45DT02TR

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